AI驱动存储芯片需求爆发：SK海力士54万亿韩元加码韩国本土产能

韩国存储芯片领军企业SK海力士近日正式宣布了一项规模庞大的本土扩张计划。董事会已批准投入超过54万亿韩元（折合人民币约2580亿元），用于在韩国境内新建两座先进的存储芯片制造基地。这一重大决策旨在紧抓人工智能时代爆发式增长的内存需求，进一步巩固其在全球市场的竞争地位。

根据披露的投资明细，资金将主要流向两个核心项目：位于龙仁的“Y2”工厂将作为DRAM生产基地，获得35.2万亿韩元的预算支持；而位于清州的“M17”工厂则专注于NAND生产，预算为19.1万亿韩元。工程进度方面，清州项目计划于明年2月率先启动建设，龙仁项目紧随其后于明年7月动工。两座工厂的首个洁净室预计分别于2028年12月和2029年6月正式启用。

市场分析指出，随着AI产业的迅猛发展，存储芯片的角色已从传统元器件转变为决定AI模型性能的核心基础设施。在当前供需紧平衡、内存价格持续高位运行的背景下，SK海力士的股票表现强劲，年内涨幅已接近120%。投资者普遍预期，受供需关系影响，内存价格将在2028年底前维持高位，这为公司的战略扩张提供了有力的市场支撑。