新版集成电路布图设计保护条例公布

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国务院日前公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》,该条例将于2026年10月15日起施行。此次修订距离2001年首次颁布已过去25年,新规在保护范围、侵权赔偿等方面均有显著调整。

条例明确,对集成光子、量子等功能的集成电路布图设计同样给予保护。在权利归属上,合作创作和委托创作的专有权归属规则得到细化,强调以约定优先。针对侵权赔偿,新规引入惩罚性赔偿机制,对故意侵权且情节严重的行为,赔偿数额可在正常标准的基础上提高至5倍。此外,条例对布图设计专有权的保护期作出规定,自申请日或首次商业利用起计算为10年,但自创作完成之日起15年后不再受保护。

从行业背景看,集成电路布图设计是芯片产业的核心知识产权之一,加强对其保护有助于激励研发投入,是完善我国半导体领域法律保障体系的重要举措。

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相关问题

新版条例在保护范围上有何扩展?
新版条例明确将集成光子、量子等功能的集成电路布图设计纳入保护范围,不再局限于传统半导体材料基片上的电路配置。
关于侵权赔偿,新条例有哪些规定?
新条例引入惩罚性赔偿机制,对故意侵犯布图设计专有权且情节严重的,赔偿数额可在实际损失或许可使用费倍数基础上,提高至1倍以上5倍以下确定。
布图设计专有权的保护期是如何规定的?
布图设计专有权的保护期为10年,自登记申请日或在世界任何地方首次投入商业利用之日起计算,以较前日期为准。但无论是否登记或商业利用,自创作完成之日起15年后,不再受保护。

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