国务院日前公布修订后的《集成电路布图设计保护条例》,该条例将于2026年10月15日起施行。此次修订距离2001年首次颁布已过去25年,新规在保护范围、侵权赔偿等方面均有显著调整。
条例明确,对集成光子、量子等功能的集成电路布图设计同样给予保护。在权利归属上,合作创作和委托创作的专有权归属规则得到细化,强调以约定优先。针对侵权赔偿,新规引入惩罚性赔偿机制,对故意侵权且情节严重的行为,赔偿数额可在正常标准的基础上提高至5倍。此外,条例对布图设计专有权的保护期作出规定,自申请日或首次商业利用起计算为10年,但自创作完成之日起15年后不再受保护。
从行业背景看,集成电路布图设计是芯片产业的核心知识产权之一,加强对其保护有助于激励研发投入,是完善我国半导体领域法律保障体系的重要举措。
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