打破国际垄断：安徽格恩半导体五年磨一剑，铸就氮化镓自主链

安徽格恩半导体有限公司在第三代半导体领域取得重大突破，其自主研发的氮化镓激光芯片已于2023年8月实现规模化量产。这一里程碑事件不仅终结了国内下游应用长期依赖进口、产业链安全受制于人的局面，更标志着中国在关键核心技术自主权上迈出了坚实一步。自2021年8月落户安徽六安以来，该企业已走过五个年头，今年初迎来了成立五周年的重要节点。

曾几何时，氮化镓激光芯片市场被少数国际巨头垄断，国内几乎100%依赖进口。面对严峻的产业链挑战，格恩半导体选择'死磕'技术难关。2023年底，公司在实现芯片量产的同时，成立控股子公司安徽兆维激光科技有限公司，向下游激光器件及模组领域延伸。由此，格恩半导体成为全球少数具备'结构设计—外延生长—芯片加工—器件封装—器件制造'全链条能力的IDM制造商，彻底打通了产业闭环。

技术创新的背后，是高强度的研发投入与深厚的产学研合作。近三年，公司累计投入研发资金约1.5亿元，复合增长率超过10%。依托博士后科研工作站及省级企业技术中心，公司与清华大学、中国科学技术大学等顶尖高校紧密协同，承担了多项国家级及省级重点研发项目。此外，公司还前瞻布局下一代数据中心光互联技术，切入Micro LED光互联赛道，为未来增长蓄势。

地方政府的强力支持为项目落地提供了'六安速度'。总投资20亿元的现代化芯片工厂仅耗时八个半月便拔地而起。当地通过落实研发费用加计扣除、专项资金'直达快享'等政策，有效降低企业成本；并通过高标准建设人才公寓、提供子女入学及医疗保障等'一站式'服务，确保核心智力资源'引得进、留得住'。随着1-7月全市半导体产业新签约项目达12个、总投资超43亿元，国产替代进程正从单点突破迈向全产业链协同发展的新阶段。